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ES2M市场价A4935KJP-T现货多2022实时更新(今日/热点)此类混频器将两个双平衡设计组合起来，形成更高程度的对称性以优化变频过程，但代价是电路复杂度显著提高。image.png图3.(a)单端、(b)单平衡、(c)双平衡和(d)镜像抑制混频器的概念拓扑同相正交(I/Q)混频器是单独的一类平衡设计。I/Q混频器利用相位抵消来消除干扰镜像信号。

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而无需外部滤波。普通I/Q混频器在下变频模式（参见图3d）下通常可以用作镜像抑制混频器(IRM)，在上变频模式下可以用作单边带(SSB)混频器。集成缓冲器和驱动放大器的I/Q混频器仅针对两种工作模式中的一种而设计，因而可以将其区分为I/Q下变频器和I/Q上变频器。这些混频器与另一类频率转换IC密切相关。

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包括硅基半导体CMOS和SOI、化合物半导体GaAs和GaN以及微机电系统(MEMS)7，8。每种技术在频率范围、功率处理能力、隔离、插入损耗、开关速度、建立等关键性能规格方面都有自己的优缺点。例如，GaAs的高温性能更优越，GaN广泛用于高功率应用，硅基工艺在建立、集成能力、低频特性和高ESD鲁棒性等方面胜出7。

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例如，通信系统需要低带内噪声以维持低误差矢量幅度(EVM)，频谱分析仪依赖于具有快速锁定的本振来实现快速频率扫描，高速转换器需要低抖动时钟以确保高SNR性能。倍频器当基频振荡器不能覆盖所需频率范围时，使用倍频器可以产生更高的频率。这些器件利用其元件的非线性特性来产生输出信号，其频率是输入信号的谐波。